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      28nm增產競賽,缺芯只是表面原因

      本文作者: 吳優 2021-04-30 18:47
      導語:28nm擴產早已是業界共識,是缺芯潮給了大家擴產的決心。

      近幾個月,晶圓代工廠相繼宣布擴充產能,華虹半導體宣布建設一條工藝等級為90-65/55nm的生產線,臺積電、聯華電子及中芯國際也紛紛指向了28nm產能擴充。

      最早是今年3月18日,中芯國際發布公告稱公司與深圳市簽訂合作框架協議,中芯深圳將重點生產28nm及以上的集成電路和提供技術服務,最終實現每月約4萬片12吋晶圓產能,預計項目投資金額23.5億美元(折合152.75億元人民幣)。

      4月份,臺積電宣布斥資28.87億美元(折合187.19億元人民幣)擴充南京臺積電28nm產能,預計達到美元4萬片的生產規模。緊接著,聯電也召開線上會議,宣布投資約135.3億元人民幣擴充在臺南科學園區的12吋廠Fab12的28nm產能。

      這幾家宣布擴產的代工廠,都預計將在2022年開始正常生產。十多年前開發出的28nm工藝制程,在5nm先進制程被廣泛用在智能手機上的今天,依然熱度不減,甚至引發各個晶圓廠之前新一輪競爭。

      值得注意的是,這次28nm產能的集體擴充,與當下備受關注的缺芯潮并無太大直接聯系。

      28nm增產競賽,缺芯只是表面原因

      代工巨頭臺積電的“轉折點”

      依然是在摩爾定律的推動下,芯片工藝制程在2010年左右發展到28nm,彼時的半導體公司受金融危機影響元氣大傷,很多IDM公司或剝離制造業務或將更多的資源投資到芯片設計中,給晶圓代工廠帶來更多發展空間。

      在78歲高齡的張忠謀重回歸臺積電后,臺積電在2011年成為首個量產28nm工藝制程的代工廠。當時的報道稱,臺積電推出的第一個版本的是低功耗28nmLP,采用傳統的SiON工藝,引入了多晶硅柵和二氧化硅硝酸鹽,適合低頻環境。

      事實上,工藝制程發展到45nm時,核心面積減少導致單位面積密度增高,漏電問題更加嚴重,此時傳統的二氧化硅柵極介電質工藝遇到瓶頸,也就是臺積電所量產的第一代28nm產品,雖然能夠縮小芯片面積但并未解決高功耗的問題,因此業界普遍轉向了能夠降低漏電的HKMG(high-k絕緣層+金屬柵極)疊層技術。

      而在選擇HKMG晶體管結構上,業界分成兩大陣營,一家是以IBM為首的Gate-First工藝流派,其支持者還有英飛凌、NEC、GF、三星和意法半導體等芯片制造技術聯盟所屬成員。另一家是以Intel、臺積電為代表的Gate-Last工藝流派。這兩種工藝流派各自都有需要攻克的難點,前者的PMOS管門限電壓難以控制,后者需要設計環節積極配合修改電路來提升管芯密度。盡管雙方都宣稱自己的工藝更適合HKMG晶體管,但未有實際產品出世證明誰更優越。

      率先在2012年攻克了28nm HKMG制程的臺積電證明了更少人看好的 Gate-Last更具潛力與優勢,推出適用于高頻的28nm而后繼續向20nm前進。

      28nm增產競賽,缺芯只是表面原因

      臺積電工藝節點發展歷程,圖片源自臺積電官網

      而這一次在HKMG上的選擇讓臺積電大獲全勝,營收與獲利屢創新高,將彼時最大競爭對手三星、GF遠遠甩在身后。在迅速轉向28nm的2012年,臺積電在第四季度財報會上表示:公司在這一年里實現了創紀錄的營收和利潤,出貨量相比2011年增長了30倍。

      到了2013年,三星、GF以及UMC的28nm HKMG才剛剛導入量產,而臺積電則利用先發優勢快速搶占客戶資源、占領市場,28nm出貨量持續攀升,甚至占據了超過80%的細分節點市場份額。

      28nm增產競賽,缺芯只是表面原因

      各晶圓廠28nm及以下的量產能力,圖片源自OMDIA

      雖然摩爾定律指出,集成電路上可容納的晶體管數目大約每經過18個月便會增加一倍,處理器性能每隔兩年翻一倍,但并不意味著工藝節點發展到下一代時,上一代就失去存在的意義,對28nm而言更是如此。

      效益最高、應用廣泛的黃金28nm

      臺積電雖然早在2011年就實現了28nm的量產且一直在開發更加先進的工藝,但28nm卻始終是臺積電的核心業務,2016年營收占比26%,2017年和2018年占比23%,直到2020年,28nm的營收也依然占總營收的12.67%,僅次于7nm和16nm,需要用到EUV光刻機才能制造的5nm節點營收也只占全年收入的7.72%。

      28nm增產競賽,缺芯只是表面原因

      28nm能夠支撐臺積電核心業務近十年,主要有兩個重要原因。一方面是先進制程中28nm成本效益高,往后需要FinEFT工藝的16/14nm節點,晶圓制造成本將增加至少50%,同時使用壽命比不上28nm節點,更先進的工藝成本更高,只用擁有最大市場的智能手機才能承受如此昂貴成本。

      另一方面,隨著28nm工藝的成熟,市場需求呈爆炸性增長,從最開始應用在手機處理器和基帶上,到后來在OOT盒和智能電視等更加廣泛的應用領域。

      隨著個人集成電路時代的到來以及物聯網、5G等技術的演進,無論是用來改善手機屏幕的OLED驅動器,還是滿足物聯網設備的各種連接芯片,還是用在混合計算中心、無線基站以及自動駕駛汽車等專有領域的FPGA,高性能低功耗的28nm工藝都是理想的選擇。

      放眼于全球,根據TrendForce調查研究,2020年28nm及以上制程的產品線更加廣泛,包括CMOS圖像傳感器、小尺寸面板驅動IC、射頻元件、電視系統單芯片、WiFi及藍牙芯片等眾多需求增長,28nm訂單持續爆滿。

      還有一個重要原因是,盡管客戶更愿意使用更加成熟的工藝和更低的成本制造,但8吋晶圓廠隨著設備折舊而數量大幅下降,即200mm晶圓利用率升高且產能增長緩慢,因此原本能夠用更加成熟制程的電子產品也被迫往28nm遷移。

      擴產28nm是共識,缺芯潮只是引爆點

      晶圓代工廠們相繼宣布擴產28nm,表面上看似乎與當下的缺芯潮密切相關,擴產已經發展成熟、效益最高的28nm產能,能更好更快地解決缺芯問題。

      不過產能擴充往往需要較長的時間周期,這些28nm芯片至少明年才能正常生產,短時間內依然無法解決產能短缺的問題。實際上業界和市場早已對28nm做出評估,即使沒有這一次缺芯潮,依然會選擇擴產28nm工藝。

      一位半導體行業資深人士告訴雷鋒網,擴產反應了業界對28nm工藝制程的共識,未來半導體行業的整體用量依然會繼續增加,包括車用、電源等方面,就整個晶圓廠目前28nm的產能,也沒有特別大,中芯國際目前28nm月產能大約在8萬片。

      “產能遲早都要往前走,這次的缺芯潮是一個誘因,讓各個晶圓廠下定決心一起往前走。”

      值得注意的是,去年年底我國國務院也發布《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》,政策顯示,國家鼓勵的集成電路線寬小于28納米(含),且經營期在15年以上的集成電路生產企業或項目,第一年至第十年免征企業所得稅。從某種程度上也證明了28nm的重要性。

      或許28nm看上去沒有5nm、2nm高端,但適用范圍確實更加廣泛,人人都在關注更加先進的制程支撐智能手機這塊巨大的市場,但最先進的不一定適合所有,應用范圍最廣泛的不一定最先進。

      文章參考鏈接:

      https://omdia.tech.informa.com/OM016176/28nm-to-be-a-long-lived-node-for-semiconductor-applications-in-the-next-five-years

      https://www.cnbeta.com/articles/tech/106647.htm

      http://news.moore.ren/industry/75253.htm

      http://pdf.dfcfw.com/pdf/H3_AP201711211053905974_01.pdf

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