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| 本文作者： 吳優(yōu) | 2020-07-02 19:39 |
美光科技在6月29日（本周一）公布了第三季度的財報，美光首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra指出：“展望2020下半年的市場趨勢，有三個關(guān)鍵點。首先，希望數(shù)據(jù)中心的前景廣闊；第二，希望智能手機和消費者終端設(shè)備的銷售情況繼續(xù)改善，從而加速整個供應(yīng)鏈中的庫存消耗；第三，希望新的游戲機推動更多的DRAM和NAND需求。”
最新的數(shù)據(jù)顯示，美光科技在DRAM的出貨量和NAND ASP（平均售價）增長方面超過了其競爭對手三星和SK Hynix。五年前，我國清華紫光擬收購美光科技以加強DRAM和NAND閃存實力，但最終并未成功，到目前為止，DRAM和NAND依然是我國缺少的關(guān)鍵半導(dǎo)體組件之一。
我國半導(dǎo)體存儲芯片的現(xiàn)狀如何？與美光科技等存儲芯片巨頭的差距還有多遠呢？
國產(chǎn)芯片供需缺口較大
我國一直在努力減少對國外半導(dǎo)體制造公司的依賴，根據(jù)《中國大陸的半導(dǎo)體和設(shè)備市場：分析與制造趨勢》報告顯示， 2019年我國在集成電路上的進口4451.3億塊集成電路，同比增長6.6%，進口額為3055.5億美元，同比下降2.1%。集成電路出口2187億塊，同比增長0.7%，出口額為1015.8億美元，同比增長20%。
目前，中國OEM廠商生產(chǎn)電子設(shè)備所需的半導(dǎo)體設(shè)備需求與中國內(nèi)部制造供應(yīng)之間在存在著較大的缺口，盡管中國自主制造的芯片數(shù)量逐年上漲，但需求量也逐年升高，預(yù)計到2022年供應(yīng)量達到4千億，需求量達到7.5億，供需差距3.5億片。
盡管在2019年受到貿(mào)易限制的影響，但中國的半導(dǎo)體進口量增速不減，2020年新冠疫情下，中國半導(dǎo)體進口量的增長速度甚至更快。
在這樣的情況下，過去九個季度里中國的兩家制造存儲芯片公司，生產(chǎn)3D NAND的長江存儲技術(shù)（YMIC）和生產(chǎn)DRAM的長鑫存儲技術(shù)有限公司（CXMT）分別購買了30億美元的生產(chǎn)設(shè)備。
國內(nèi)存儲芯片發(fā)展現(xiàn)狀
在中國的存儲芯片市場上，許多公司都在加緊部署新的晶圓廠，無論是從資金上，還是技術(shù)上，都馬力十足。
長鑫存儲
長鑫存儲的第一家晶圓廠已經(jīng)宣布了19nm技術(shù)的計劃，總產(chǎn)能12萬片/月，產(chǎn)能從兩萬片每月提升到三萬片，推遲了一年多，于2019年底開始生產(chǎn)。長鑫存儲計劃在其Fab 1附近再增加兩個晶圓廠。
此外，長鑫存儲也定下了下一步目標(biāo)，預(yù)計在未來2-3年時間推進LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)，工藝升級到17nm以下。
長江存儲
長江存儲在武漢的第一個工廠是一座單層建筑，每月產(chǎn)能為12萬片晶圓。利用其全資子公司武漢新芯（XMC）現(xiàn)有的12英寸工廠，長江存儲于2017年成功設(shè)計并制造了首款32層NAND閃存芯片。
2019年9月2日，長江存儲宣布64層 NAND閃存芯片已投入生產(chǎn)，基于Xtacking架構(gòu)的256Gb TLC 3D NAND閃存已投入量產(chǎn) 。
2020年4月13日，長江存儲宣布通過與多個控制器合作伙伴的合作，其128層1.33Tb QLC 3D NAND閃存芯片X2-6070通過了SSD平臺上的示例驗證。
據(jù)悉，長江存儲的母公司清華紫光集團計劃在武漢的第一家晶圓廠旁建造第二家晶圓廠，原定于2020底開始，但目前進度已經(jīng)加快了。盡管清華紫光集團沒有透露該工廠的年產(chǎn)能以及投資金額，但該公司正在考慮在十年內(nèi)對其DRAM業(yè)務(wù)進行總計8000億元人民幣的投資。
重慶清華紫光
清華紫光集團于8月27日宣布，已與重慶市政府簽署協(xié)議，成立研發(fā)中心和DRAM晶圓廠。該晶圓廠預(yù)計于2022年完工，每月生產(chǎn)10萬片晶圓。該晶圓廠最初計劃于去年開始建設(shè)，但因為貿(mào)易限制以及新冠疫情而推遲了。
兆易創(chuàng)新
兆易創(chuàng)新于2020年4月宣布，計劃通過非公開發(fā)行新股籌集43.2億元人民幣，為進軍DRAM存儲市場提供資金。除了自己的DRAM計劃，兆易創(chuàng)新還將投資長鑫存儲。
長江存儲128層NAND即將投入生產(chǎn)，僅落后美光兩個季度
2019年，長鑫存儲的DRAM落后領(lǐng)先的DRAM制造商至少兩代，到2021年，長鑫存儲將落后美光、三星和SK Hynix三代。
2018年，長江存儲的32層NAND落后世界領(lǐng)先的NAND制造商三代，但隨著長江存儲路線圖的加速，在2020年宣布推出了128層NAND，計劃于2020年第四季度投入生產(chǎn)，這意味著長江存儲的新NAND將僅僅落后美光和SK Hynix兩個季度，與Kioxia/Western Digital（WDC）112層NAND不相上下。
值得一提的是，長江存儲的第二個NAND晶圓廠的建設(shè)計劃將提前。長江存儲的NAND器件使用的是DUV浸沒式光刻技術(shù)制造，即便是沒有ASML的EUV，也能夠生產(chǎn)3D NAND芯片。
因此，我們在追趕美光的過程中，并沒有太多設(shè)備上的障礙，這場存儲芯片追擊戰(zhàn)，有信心取得勝利。
雷鋒網(wǎng)小結(jié)
我國本土的存儲芯片制造企業(yè)雖然數(shù)量少、規(guī)模小、產(chǎn)品技術(shù)也較領(lǐng)先企業(yè)落后一些，但長江存儲、長鑫存儲的發(fā)展勢頭迅猛，陸續(xù)修建新的晶圓廠，開發(fā)出新的產(chǎn)品，這讓我們有理由相信，中國的DRAM和NAND存儲芯片終有一日能夠突出重圍，同美光科技等存儲芯片公司展開競爭。
2020年8月7日至8月9日，2020年全球人工智能與機器人大會（CCF-GAIR 2020）將在深圳隆重舉行，今年的主題是AI新基建產(chǎn)業(yè)新機遇，設(shè)置了針對新基建學(xué)術(shù)的AI前沿專場、機器人前沿專場、聯(lián)邦學(xué)習(xí)專場3大專場，針對新基建產(chǎn)業(yè)的AI芯片專場、智能駕駛專場、AIoT專場等的11大專場。AI芯片專場的學(xué)術(shù)大咖和重要企業(yè)技術(shù)VP將共同探討如何用創(chuàng)新的指令集、架構(gòu)以及商業(yè)模式抓住新基建給AI芯片帶來的絕佳機遇。
詳細(xì)信息請查看官網(wǎng)。
封面圖來自長江存儲官網(wǎng)
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